TLC将成为2015年消费类SSD的中坚力量

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转个新闻：http://www.chinaflashmarket.com/News/2015-02/145021

       在消费类市场上，产品性价比是消费者首要考虑，介于搭载MLC SSD成本较高，客户群主要集中在对速度有一定要求的高端用户上，比如：游戏玩家、商用客户等。为了加速SSD在消费类市场普及率，三星在2013年首推TLC SSD，2014年控制芯片厂Marvell、慧荣、群联SSD控制芯片加大对TLC Flash的支持，预计2015年TLC SSD将陆续上市。TLC Flash受制于自身擦写寿命次数和Flash读写速度等因素，之前大量用于闪存卡、U盘等产品上。随着NAND Flash技术不断提升，所需ECC修正位元数增加，尤其是NAND Flash向1xnm工艺以下推进，TLC的P/E Cycles降低至1K，需72bit甚至更高的ECC。为了实现TLC Flash在SSD上的应用，SSD控制芯片中采用的纠错编码(ECC)类型由BCH向低密度奇偶校验码LDPC演变，极大的强化了TLC SSD的耐用性和可靠性。

数据来源：中国闪存市场
Flash原厂凭借自身强大的技术，三星在2013年率先推出840 EVO系列TLC SSD，2014年全面向TLC SSD转进并广泛推广到消费类市场上应用，东芝在2014下半年也推出一款A19nm工艺采用TLC Flash的SG4系列SSD，计划在2015年还会推出一款1znm工艺MLC/TLC SSD。
2014年Marvell在上半年推出支持1ynm TLC Flash工艺88SS1074，下半年推出的88SS1093支持PCIe Gen3，年底还推出两款88NV1140和88NV1120迎合平板、Chromebook、2合1电脑等超轻薄产品的发展，均采用Marvell第三代NANDEdge纠错、低密度奇偶校验（LDPC）技术。台系控制芯片厂慧荣推出的SM2256搭载独有NANDXtend解错修正技术，有效运用低密度奇偶校验（LDPC）和RAID修正技术，增加数据读写保护能力，提升TLC Flash的P/E Cycle，群联也推出了支持1x/1ynm工艺TLC Flash的PS3110 SSD控制芯片。据了解，群联支持TLC的SSD已在2014年底开始出货，慧荣SM2256从2015年Q1开始出货给各大SSD品牌厂，并看好TLC SSD成为消费类市场主流。我们预计在控制芯片厂技术支持推动下将促使TLC SSD 在2015下半年规模化上市。

数据来源：中国闪存市场
对SSD成本进行分析，SSD成本主要集中在NAND Flash和主控芯片上。我们以三星工艺技术为例，一个12吋晶圆，三星采用16nm工艺可以切割出750多片的64Gb MLC Flash Die，同样采用16nm工艺可以切割出1000多片的64Gb TLC Flash Die，以每个晶圆1500美金成本计算，每个64Gb MLC Flash Die的成本是2.2美金，每个64Gb TLC Flash Die的成本是1.7美金，可以看出同工艺同容量的条件下，TLC成本比MLC低23%，而控制芯片成本会在台系芯片厂扩大放量和厂商竞争驱动下降低。我们估计128GB（64GbX16）容量的TLC SSD比MLC SSD成本低25%，推动TLC成为SSD成长的中坚力量。

数据来源：中国闪存市场


再来些很可能即将上市的实物图吧：
东芝的sg4，好像难产了，没敢上市


浦科特的m6v，这个去年就说在2014年第3 4季度上市，到目前为止也是难产ing




plextor m8s，本来计划2013年上市，不过已经难产：



PS： 用tlc做SSD不一定非要用slc模式，只要主控够强悍、闪存够稳定，直接写是没问题的，比如说2012年三星第一代的840系列、还有OEM出货量最大的pm841、pm851都没有用slc模式，照样卖得很好（OEM的出货量是零售的N倍），pm851还把微软surface的OEM源从hynix抢了过来，隔壁砖家黑TLC一直黑得很来劲，自娱自乐甚是搞笑，难道各大笔记本OEM厂商的智商连他们都不如么？  我看是用东芝闪存的tlc SSD一直难产没得吹才这样黑TLC吧，到时候其它赞助厂商的TLC上市时又各种吹捧够用论了。 低端的TLC技术做不过人家就开黑，高端型号也做不过人家就说一般人用不上，搬上够用论，瞧砖家这酸得，我看砖家这两年还是继续当鸵鸟吧，因为三星这两年光凭3D闪存就能把其它厂家的2D闪存压得死死的，目前三星和其他竞争企业在3D NAND领域的技术差距约有2年以上，今年将量产48层的3D闪存。

当然TLC保存数据的能力确实没有同时代的MLC强，840 840evo我个人来说也是不会碰的（都退市了也一直没到我心里价位），但是3D TLC可以和同时代的2D MLC一战，用上3D TLC的850EVO不就敢保修5年嘛，比起一大堆MLC保修时间都长哦，保修党快来快来。 预计3D闪存时代TLC将是SSD主流配置，到时候3D MLC将是现在SLC高高在上的位置。

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隔壁浦科特，大面积挂盘，丢数据，他们的结论是“自己手贱升级固件”

隔壁版主是说，没啥问题，不建议升级固件。厂家网站好像没这个提示。

不过他们比厂家厉害，提供固件降级程序。

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我来总结下：反正就是TLC好，三星SSD好，三星TLC的SSD更好！

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先看850evo会不会掉速了
然后看3D到底会给tlc带来什么改变
不过个人觉得现在的ssd价格已经很廉价了
mlc颗粒目前好像还没成为ssd价格的瓶颈....
反正暂时有mlc还是用mlc好了..毕竟不贵

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从目前来看，还是小容量的高端 MLC SSD + NAS的组合比较好。既满足了一般对速度的要求，也能存储大量数据，并且能在各个终端分享数据

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管理员的回复可不止是这样哦  还有说是大家都没出问题 就几个出问题就算大面积 想想都知道别有用心了

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厂商估计向成本妥协了，反正也就三年保，很多人估计3年的存储量也就恰好不到1000pe的状态，3年以后各种损坏。但是所有的厂商都这么做了，怎么办？可以参考hdd的例子。

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浦科特看来是坚决不能碰，有问题面对问题，估计他们自己吹嘘浦科特，用的却是intel或者美光。

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三星拉大与对手技术差距 年内量产48层V NAND
http://www.chinaflashmarket.com/Producer/Samsung/News/144600

据首尔经济报导，三星近来已完成48层结构的V NAND研发，并着手研发后续产品64层结构V NAND。48层V NAND将于2015年内开始量产。原本南韩业界推测三星会在2015年下半完成48层V NAND，并在2016年才投入量产，然三星大幅提前了生产日程。

2013年首度公开24层结构V NAND的三星，在不到1年时间内的2014年5月，领先全球开始生产堆栈层数提升30%的32层V NAND。接着又完成48层V NAND研发，技术力领先群雄。

以营收为基准，在NAND Flash市场上排名第二~五名的SanDisk、东芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)等，都尚未投入V NAND生产。

V NAND是为了突破平面结构NAND Flash的技术瓶颈，而改变为立体结构的创新产品。将存储器Cell层层堆高，堆栈越多层，集积度越高，可提升储存容量。此外，V NAND的寿命也较平面NAND延长最高10倍。

三星已完成研发的48层V NAND，被业界看作是存储器芯片的分水岭。直到32层V NAND因成本相对于性能来说仍旧偏高，市场性比平面结构芯片低，然48层结构V NAND已能确保价格和质量，可望成为V NAND市场大势。

东芝认为，推出32层V NAND的主要目的与其说是提升获利，宣示技术力的成分较高；然超过40层的V NAND将能让技术力领先的业者掌握市场。

V NAND需求也正逐渐升温，报导引用市调机构iSuppli资料指出，未来取代硬盘的次世代储存设备固态硬盘(SSD)，搭载V NAND的比重将从2014年的0.1%，在2018年增加到31.1%。

目前三星和其他竞争企业在V NAND领域的技术差距约有2年以上。SK海力士、英特尔(Intel)和美光(Micron)的合资公司IM Flash以2015年初投入量产为目标，对客户公开24层结构V NAND样品，东芝预计会在2015年下半推出24层V NAND。

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反正之前面对日亚30000的840pro和30000的850pro，我还是选了前者
3D颗粒暂时观望中