新人抛砖引玉，关于SSD的寿命讨论

zn6imi9

首先是自己买了三星的EVO850，看了许多评论基本是黑它寿命的，让我十分忐忑。百度了不少关于TLC，MLC的寿命讨论，大多是MLC>TLC的。然后基本就是无脑黑三星了。
首先，衡量颗粒有统一的标准是PE，不管是TLC还是MLC，都是以这个为标准的。然后，在同纳米制程下MLC寿命>TLC的，看到的大多数说是三倍于TLC。这些自己也是不懂，就这么认可了。
再者，还看到50nm制程颗粒寿命是10000PE，34nm是5000PE，25nm是3000PE。这里的寿命是MLC的。这个也是不懂，看到大家基本都认可。也就这么用了。纳米数下降1/3，寿命减半。纳米数下降1/2，寿命只有3成了。
而网上却没有22nm、19nm和16nm的寿命，那我就推算一下寿命。这个只是估算，可能有偏差。还有会估算40nm的寿命。
34nm下降1/3≈22nm=2500PE
34nm下降1/2=17nm=1500PE
25nm下降1/3≈16nm<1500PE估计在1400PE左右
25nm除以2/3≈38nm=6000PE //这里是相当于38nm下降1/3，也就是25nm寿命翻倍
38nm下降1/2=19nm=2000PE //这里本来是乘以0.3，但是感觉有些问题，所以乘了1/3
40nm寿命应该在6300PE左右。那40nmTLC寿命估计在2100PE。
那么问题来了，40nmTLC寿命居然大于19nm的MLC。现在主流的MLC基本上都是19nm了，马上要推16nm的了，而三星却用了40nm TLC颗粒。
那就3D-V-nand的技术到底是干吗的？三星说解决了寿命，寿命问题应该不是3D-nand解决的，应该是用了大制程的颗粒。感觉三星迷惑了我们的眼睛。
我感觉3d-nand是解决了一是单块颗粒芯片的最大容量问题，而是解决了TLC/MLC颗粒读写速度问题，通过并行读取多层TLC/MLC。应该是参考raid 0。
所以通过三星质保可以看出来850tlc敢保5年mlc敢保10年，而因特尔19nmMLC也保了5年。3d-nand是门好技术，因特尔镁光跟着三星也搞起来了。

n30d9uh

新人看贴回帖，又收获一点。

plq1l86

技术我不懂  但是 TLC卖得比MLC还贵 的时候 我就要认真考虑一下 钱多脑残还是有钱任性

1blfnt

一个厨师说, 我可以用饲料鸡做出野鸡的味道, 价格比野鸡贵一些, 因为这很考技术.
那我为何不直接去吃野鸡 ?

TLC 原理上就麻烦不够稳定, 即使用了更粗的制程, 8个电位处理起来还是比4个电位复杂很多. 所谓的速度快, 是使用 slc cache, 以及一些仅仅对测试软件有用的方法达成(pceva 上有分析).

xxqmz2u0

等到 *** tlc  ssd 不用耍什么花招速度就很快,  等到 apple iphone 使用 tlc 而不用划 400M ram 就可以正常稳定工作的时候,  TLC 可能就成熟了, 到时候, 和 MLC 比比性价比看看选谁好了.

现在嘛, 还是算了.

zg1p2fw

他还是没有考虑到nm数对颗粒的影响，而且举的例子是颗粒超寿命都已经8000+PE了，而且EVO840的确是个坑子19nm的TLC寿命也就700PE左右。和40nm的TLC来比16nm的MLC就是坑了点。

r796bk8

http://bbs.pceva.com.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=118508&extra=page%3D1%26filter%3Dauthor%26orderby%3Ddateline
真应景的帖子

po8wv58

为什么都只看颗粒类型，却不看nm数呢？而且3D-nand技术因特尔也跟进了，技术是很有前景的。现在黑三棒的都是黑EVO840，这款是坑的不行。19nm的TLC烂的不行了。3d-nand应该是用大纳米数来弥补寿命的不足，通过像raid 0或者5方式，多层颗粒同时读取来弥补大纳米的速度不足。

ltrwrsk

相同的价格给我个不选MLC的理由？？？？？？
相同的P/E一个是东补补西修修勉强做到的，另外一个本身就有。
这还不考虑数据断电保存时间。。。。

最后不要告诉我棒子星是大厂什么的，，，，，I记卖8086的时候，棒子星还在卖泡菜了

vgt44pl

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