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慧荣2246开卡选项"enable internal-intlv"对镁光nw593(MT29F512G08CKCAB)的

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发表于 2016-3-29 00:10:40 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式



这个问题对于老手来看可能不值一提,我由于经验不足,绕了点弯路,特开此贴算是给自己做个笔记吧,老手新手朋友路过随便看看吧,能有对大家有点帮助当然最好不过了。

前段日子做了个msata 的 2246en 256G ssd ,4贴nw593,开卡后跑了as,发现连续写入有点悲催,如图:




4贴的连续写入只有悲惨的140MB/s,折算每颗粒只有35MB/s,想到它是2ce的(其实是4die/2ce这就是问题所在了),慢点也属正常,再说又是自己用的,就没当回事。


本来也就这么将错就错用下去了,直到 anddraw 坛友指出我的设置可能有问题,他的8贴593折算下来每颗粒应该有50MB/s的写入速度,如图:







这时候我才如梦初醒意识到自己设置上可能有问题,anddraw 非常热心的提供了他的设置截图供我参考:







通过和自己的设置比对,发现“enable internal-intlv” 这个选项没有勾选,打开后,连续写入立马翻倍,如图:





看上去总算像样了。



关于这个选项没找到相关的资料,直译过来似乎是"开启内部交错",从结果来看,个人感觉似乎把593这类4die/2ce的flash强制当成了4ce的来工作:



ce表上来看开启前后没有任何区别,但打开坏块表,就能看出端倪了:




上图是开启前的




上图是开启后的,可以看到,似乎把每个die分配给了一个ce通道。





那么问题来了,如果贴的是2die/2ce、4die/4ce的flash ,开启这个选项对性能有提升吗?

我找了块金胜64G的ssd来做试验,它是4贴三星 k9ldgy8s1c,2die/2ce的f。



上图是开启前的




上图是开启后的

可以看到,性能没有什么区别,甚至还差了,当然也有可能是测试误差,但有一点是肯定的:这个选项对于2die/2ce这类f是没有什么影响的。


由此看来,"enable internal-intlv"这个选项,对于像镁光nw593(4die/2ce)、nw388(8die/4ce)这类die数ce数不对等的flash,开启后性能可以有很大的提升;对于一般的2die/2ce、4die/4ce等die数ce数对等的flash那开不开启也没什么影响。


现在回想起来,原先用的都是2die/2ce、4die/4ce的flash,这个选项没发现什么作用,所以习惯都不开启的,直到遇上了nw593。。。绕了圈弯路,也算学到了
,最后特此感谢anddraw 坛友对我的帮助和提示,谢谢大家!


完结撒花


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发表于 2016-3-29 00:10:40 | 只看该作者


我的nw593就有类似问题,写入只有35,现在明白了,嘿嘿

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板凳
发表于 2016-3-29 00:10:40 | 只看该作者


写入通道和线程都用上了

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地板
发表于 2016-3-29 00:10:41 | 只看该作者



die有点像物理核心,ce有点像逻辑核心,只是和i3/i7的正好相反


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发表于 2016-3-29 00:10:41 | 只看该作者


速度翻倍啊,呵呵!


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发表于 2016-3-29 00:10:41 | 只看该作者


不错,学习了,以后有用,留着。


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发表于 2016-3-29 00:10:41 | 只看该作者


想起了cpu的几核几线程

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发表于 2016-3-29 00:10:42 | 只看该作者

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发帖1320M币1272专家1粉丝117加关注 发消息 只看该作者 1楼 发表于: 2015-01-04
Re:慧荣2246开卡选项 "enable internal-intlv"  对镁光nw593(MT29F512G0 ..



看完感觉这个4die/2ce有点类似INTEL的超线程技术,
而开卡时的enable internal-intlv选项,可以理解为BIOS里的是否启用超线程技术。

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发表于 2016-3-29 00:10:42 | 只看该作者



ce是片,你可以理解成处理器数,4ce芯片烧开有四片晶片,die好像是核心,就像处理器单双核一样,所以一个ce上可以有很多die,这个看晶元特别明显。。。。。

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发表于 2016-3-29 00:10:42 | 只看该作者


認真發帖,学习了!

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