花费一天整理的SM2246 闪存参数详解

w2krs5

只看楼主 倒序阅读 使用道具 楼主  发表于: 2015-09-13

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大家都知道2246en的闪存参数是放在工具目录下FlashDB\2246AA\Flash.SET 文件里的。由各种数字组成，并没有任何注释，咋一看很容易被弄晕。但后来发现是可以在config文件里找到参数对应的定义，经过这几周的慢慢摸索和反复实验对比，已经基本弄明白了其参数的定义，以及部分参数的作用，虽然还是有不少作用不明，但已经可以在参考原厂参数的基础下改出同制程的颗粒了。

分享如下：错误在所难免，也希望得到大家的补充和讨论。

镁光的资料是比较全的，其颗粒datasheet、编号规则等均能从官网查询下载，因此就以常见的镁光MT29F128G08CFAAB 为例吧：




这里提一下：整个1套参数是指颗粒中1个CE的参数，和这个颗粒有多少CE没有任何关系。工具是通过主控识别总共有多少个CE再根据这个CE的参数来计算总容量，比如intel pf29f32b08ncme2 和 pf29f64b08pcme1 这两个的参数就是完全一样的，2片ncme2等效1片pcme1。所以经常会有一个颗粒被工具识别出好几个型号来，一般随便选哪个型号基本都一样的，除非参数略有不同，比如jcme2和ncme2是有点不一样的，具体会在后面讲到这个参数的时候详述。

为便于解读，每个参数给予一个编号，带*号的表示这个参数非常重要，不可有错；带(Hex)的表示参数为16进制数值。




1-6：*Flash id 这个不用讲，大家都知道。

7：*BITSPERCELL  闪存类型 1=SLC、2=MLC、3=TLC  
你没看错，我在支持库里找到了一些TLC的型号，镁光、三星、东芝、HY的都有，而且在工具里是可选的，比如K9ACGD8U0A：




它是1ce的颗粒，常见的K9CFGY8U5A和它是一个id，理论上选它可开卡，但三星的TLC都是bga316的，我没有转接板无法开卡验证，有条件的同学可以尝试一下。
镁光的是B95A制程的MT29F512G08EMCBB，可能是较新上市的，没见过。
我对HY颗粒了解不多，但从参数上来看是符合TLC的判断的。

8：DrivingSetting    作用未知 所有型号这里均为 21(Hex)

9：DrivingSetting2   作用未知 所有型号这里均为 01(Hex)   实测8、9这两组参数我随便改为其他数值也能开卡成功，似乎和开卡关系不大。

10：Plane2  作用未知 所有型号这里均为 0

l0fkq7vy

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20：ECCBIT  2、3为常见数值，参照同制程的参数即可。


21：EXTENDBLOCK 扩展块 cfaab这里数值为0，l95a等新制程颗粒这里是有数值的，参照同制程的参数即可。

22：SDRFrequency (Hex)  SDR频率

23：DDRFrequency (Hex)  DDR频率  和后面的另外2个频率参数不同，这2个参数似乎和开卡关系不大，我曾拿ncme2的参数（这里为：8F,27）强开cfaab（23,27）同步异步模式均能成功开卡。又随意改为23,1F、23,3F 也均能成功。所以这2个参数参照同制程的参数即可。

24：BLOCKENDURANCE 作用未知 直译似乎是和块耐久度有关也不直接影响开卡，常见数值30、100，参照同制程的参数。

25：*INTERNALCHIPNUM 直译为“内部芯片数量” 其实就是DIE数量/CE数量的比值，或者可以理解为1个ce对应几个die。
比如一般颗粒都是2die2ce、4die4ce之类的，那么这个数值就是1；
又如nw593是4die2ce，nw388是8die4ce，那么这个数值就是2；
有没有4:1的货呢？还真有！intel pf29f64b08qcme1就是8die2ce的奇葩，那么这里的数值就是4。

26：*CMDOPT1 (Hex) 作用未知  常见数值为1F、2F、53、5F等，参照同制程的参数。

27：READRETRYTABLE1 作用未知 参照同制程的参数。

28：READRETRYTABLE2作用未知onfi阵营常见为0，toggle阵营这里各种数值都有，参照同制程的参数。

cc0unby

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关键词： SM2246SMISSD
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11：MINIMUM_BLOCK  最小块 这个参数和后面一个参数有一定对应关系，如后一个为4096，这里onfi颗粒大都为3996，其他的颗粒各种数值都有，一般参照原厂同制程的参数即可。
PS：原先以为这个参数和后一个参数的差就是ssd的 op空间，但实测并没有什么关系，这里随便改成什么数值都不影响开卡成功，也不影响开卡后容量，数值也可为0。

12：*BLOCKCNTPERDIE  指颗粒中每1个DIE所辖的块数，例如cfaab单个die的块数就是4096：




如图：cfaab的每个die 由2个plane乘以每个plane的 2048个块组成总共4096个块。


13：PRETESTMODE  字面意思应该就是预测试模式，原厂这里均为2，实测改为0、1、3等也能正常开卡，可能有些特殊颗粒需要改这里，一般参照同制程的参数。


14：PRETESTMODE   13#、14#这两个参数很有意思，都是和PRETESTMODE呈对应关系，前一个为基础值后一个为补偿值，例如cfaab这里是2,3 在config 里PRETESTMODE =16*2+3 = 35。各型号2,3、2,9、2,8各种组合都有，一般参照同制程的参数。


15：StrongPageOffset  直译就是“强页面偏移”，作用不明，望指教。数值0-5都有，参照同制程的参数即可。


16：*PAGEPERBLOCK  每块页数量这里的cfaab就是每个块有256页。





17：*PLANENUMBER 每个die的plane数  一般都为2。





18：*PAGESIZE 每个页大小，就是常说的4KP、8KP、16KP。
  
19：*SPAREAREA 直译“备用区 ”，其实指单个页的备用区大小。



如图，镁光l74a制程的颗粒，每个页由8192+备用448个字节构成。

itqmdkm

真心的对呼噜娃说声谢谢，学习了

z2df24q

虽然我看不懂但是好像很厉害的样子M走起

b8vfsgh

47：2_5Inch_DRVSetting_1 (Hex)
48：2_5Inch_DRVSetting_2 (Hex) 这两组参数的数值和规律一般和41、42、43、44号参数一样，不详述了。

49：mSATA_DRVSetting_1 (Hex)
50：mSATA_DRVSetting_2 (Hex)  这两组数值比前面两组要低一些。

51：NGFF_DRVSetting_1  (Hex)
52：NGFF_DRVSetting_2  (Hex)  这两组和上两组一般相同。
可以看到：msata和ngff的参数比2.5inch的低一些，可能是这两种pcb比2.5的布局紧凑，考虑电气特性，因此保守些。



实测选择这三种并无太大区别。

53：FlashOutputDriving_SM2246 (Hex) 作用未知，常见为0。部分东芝颗粒(DDK)这里为62；部分HY颗粒为82；镁光部分L85a,L95b颗粒为1。

54：TLCTYPE  看名字是和TLC有关，常见为0。三星TLC颗粒常见3、7；东芝TLC常见1、8；镁光TLC这里为6，有部分HY颗粒这里为5。



整个一天花在这个参数上了，看在我这么辛苦整理的份上，有分的就统统砸过来吧，在下一定笑纳。



完结撒花！累死碎叫  顺便求精、求专、求m

qt7gvkm

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学习了，好详尽的分析。

内容来自Android手机客户端

phk1n4g

楼主大爱，收着了。

j7pq5x

39：HYNIXOPT1  作用未知，参照同制程的参数。从名字来看应该和HY颗粒有点关系，事实上部分HY颗粒这里为1，除此之外其余颗粒大都为0。

40：F_OPT2 (Hex)  作用未知，参照同制程的参数。常见为80，一些新制程的常见90、D0。实测cfaab这里的80改为0、90、D0均不影响开卡。

41：SDR_DRVSetting1_SM2246 (Hex)
42：SDR_DRVSetting2_SM2246 (Hex)

43：DDR_DRVSetting1_SM2246 (Hex)
44：DDR_DRVSetting2_SM2246 (Hex)  这四组参数一般数值都一样，性能差点的颗粒一般55，好点的77、88，参照同制程的参数。实测改大改小不影响开卡，可能和稳定性有关。

45：*SDR_FlshPLLFreq_SM2246 (Hex)  闪存SDR模式下的频率，较老的型号一般为0E、0A，较新的大都为12，实测异步模式下读写性能与此有关，尽量不要乱改，有的异步片如cbaaa，这个数值+-1都无法开卡，参照同制程的参数即可。

46：*DDR_FlshPLLFreq_SM2246 (Hex)  闪存DDR模式下的频率，较老的型号一般为18、1C、1E等，较新的大都为26，实测Toggle模式和onfi同步模式下读写性能与此有关，前面提到的jcme2这里是1F，ncme2是26，可能考虑tsop封装的电气特性不如gba，故数值趋于保守。


一般实际开卡中如果遇到adj错误，可能是由于各颗粒个体差异或者pcb板子电气特性不佳造成的，这时候可以考虑适当降低这个参数来通过开卡，如果你的颗粒是onfi同步片或toggle片，那么只要改这里的参数，45#参数不用管，当然代价是性能降低。
以前有人反映的4贴k9pfgy8u7a和16贴cjaab开卡时adj错误我觉得可以尝试这个办法解决。

j4fd11z

29：PWRONINTERFACE作用未知onfi阵营常见为0，toggle阵营这里常见为1，参照同制程的参数。

30：*FLASHINTERFACE  onfi异步片这里为0；同步片这里为1；toggle(包括异步)大都为2(这个阵营也有少量异步片这里数值为0的)；参照同制程的参数。之前的帖子说的拿cfaab参数改出的cfaaa两者唯一的区别就在这里。

31：*TOSHIBASHIFT  作用未知很多颗粒包括onfi阵营的在内这里大都为1，具体参照同制程的参数。很奇怪，看名字明显和东芝有关系，可为啥很多onfi的颗粒这里的数值也是1呢？

32：ONFIDrivingSetting (Hex)  作用未知，参照同制程的参数。

33：ONFIDrivingSetting2 (Hex)  作用未知，参照同制程的参数。看名字和onfi颗粒有关，但所有颗粒在这里两个参数都是有数值的，实测和开卡影响不大，如cfaab的21,21改为52,51开卡成功。

34：FlashOutputDriving (Hex)  作用未知，参照同制程的参数。实测和开卡影响不大，cfaab这里的31改为51开卡也能成功。

35：SLCCMDPATTERN (Hex)  作用未知，参照同制程的参数。大部分颗粒这里为0，部分三星TLC颗粒这里为DA；部分镁光TLC颗粒为40；部分东芝闪迪颗粒为A2；部分HY颗粒BF、A2都有。

36：R_SLCCMDPATTERN (Hex)  作用未知，参照同制程的参数。大部分颗粒这里为0，部分三星TLC颗粒这里为DF；部分镁光TLC颗粒为43；部分HY颗粒为BF。个人猜想可能和SLC模式有关。

37：*ISFORSM2246  数值1为可选，如果为0则在工具里找不到这个颗粒。


38：VCTSUPPORT  作用未知，参照同制程的参数。大部分颗粒这里为0，镁光部分TLC颗粒这里为1。