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标题: 大幅提升SSD容量英特尔发布3D NAND技术 [打印本页]

作者: jvlofj 时间: 2016-3-29 00:04
标题: 大幅提升SSD容量英特尔发布3D NAND技术

虽然固态硬盘比传统机械硬盘的数据传输速度很快，但是宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限。此外容量越高的芯片在增加硬盘的总体存储空间的同时，也拉高了固态硬盘的售价。
对于当前所处的困境，英特尔可能已经在3D NAND当中找到了解决办法。3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种技术，其概念非常简单：不同于将存储芯片放置在单面，英特尔和镁光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这样一来，单个MLC闪存芯片上可以增加最高32GB的存储空间，而单个TLC闪存芯片可增加48GB。
目前，这款硬盘目前已进入了原型机阶段。在本月20日和投资者进行的视频会议上，英特尔高级副总裁Rob Crooke称他作展示所使用的就是采用3D NAND技术所打造的硬盘。虽说如此，这种硬盘还要等到明年中旬才会开售，且最初的价格会非常昂贵。首批配备3D NAND技术的固态硬盘将具备数TB的容量，主要受众是企业用户。
不过从长期来看，采用3D NAND技术可能会拉低1-4TB容量固态硬盘的价格，并进一步降低固态硬盘的体积。这对于笔记本和平板电脑厂商来说绝对是个利好的消息。
据悉，英特尔和镁光并非是唯一探索这种技术的厂商。三星的32层V-NAND技术可为每个MLC单元装备最高10GB的容量，且该技术已经被应用在了量产产品当中。虽然这种技术能为固态硬盘增加的容量并不如英特尔的技术那么高，但三星称他们下一代的技术将会在2015年末推出。届时，双方肯定会迎来一场直面对抗。

作者: b1ptnn 时间: 2016-3-29 00:04

寿命是不是又大幅缩短啊？

作者: nuekyy 时间: 2016-3-29 00:04

三星的比intel的早多了

作者: qu40xr6 时间: 2016-3-29 00:04

三星开发的比较早

作者: w4szuq 时间: 2016-3-29 00:04

又是黑科技吧

作者: 9gsuq81x 时间: 2016-3-29 00:04

这玩意只能提高密度, 对降低成本帮助不大吧? 硅片面积省不下来

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